ANALISIS PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK VHF-PECVD

Authors

  • Yusdarina Yusdarina Universitas Muslim Maros

DOI:

https://doi.org/10.46918/karst.v1i1.96

Keywords:

Daya RF, Amorf, VHF-PECVD

Abstract

Analisis Pengaruh Daya RF Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis Silicon Amorf Terhidrogenasi yang Ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD. Tujuan penelitian ini adalah untuk menganalisis pengaruh daya Rf dan temperatur subtract terhadap sifat listrik dan optik lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi yang terdiri dari transmitansi, koefisien absorpsi (a), celah pita optic (Eopt), indekss bias (n) dan laju deposisi yang ditumbuhkan dengan teknik Very High Frequency PECVD.

Hasil optimasi temperature  Subtract menunjukkan bahwa lapisan a-Si:H dengan kualitas baik yakni memiliki celah pita optic 1,69 eV, konduktivitas gelap dan terang yang tinggi masing-masing yaitu 9,70  x 10-8 Scm-1 dan 3,42 10-5 Scm-1.

Downloads

Published

2018-12-31

Issue

Vol. 1 No. 1 (2018): KARST : Jurnal Pendidikan Fisika dan Terapannya

Section

Articles

License

Karst : Jurnal Pendidikan Fisika dan Terapannya, adalah Jurnal Akses Terbuka (Open Access Journal). Penulis yang menerbitkan artikelnya dalam jurnal ini setuju dengan ketentuan berikut:

Lisensi Creative Commons
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.

You are free to:

  • Adapt — remix, transform, and build upon the material for any purpose, even commercially.
Under the following terms:
  • Attribution — You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
  • ShareAlike — If you remix, transform, or build upon the material, you must distribute your contributions under the same license as the original.
  • No additional restrictions — You may not apply legal terms or technological measures that legally restrict others from doing anything the license permits.

How to Cite

ANALISIS PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK VHF-PECVD. (2018). Karst: Jurnal Pendidikan Fisika Dan Terapannya, 1(1), 13-18. https://doi.org/10.46918/karst.v1i1.96